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SiC肖特基势垒二极管

SiC器件具有出色的特性，能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。

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SiC-SBD系列

接线	VRRM (V)	Io (A)	TO-220	TO-220F	TO-247	T-Pack(s)
单管	650	6	FDCP06S65	FDCA06S65
		8	FDCP08S65	FDCA08S65
		10	FDCP10S65	FDCA10S65	FDCY10S65	FDCC10S65
		25	FDCP25S65	FDCA25S65	FDCY25S65	FDCC25C65
	1200	18		FDCA18S120	FDCY18S120
双管	650	20	FDCP20C65	FDCA20C65	FDCY20C65	FDCC20C65
	650	50			FDCY50C65
	1200	36			FDCY36C120

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